BST50,115
![](/img-new/pdf.png)
BST50,115 datasheet
-
МаркировкаBST50,115
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors BST50,115 Collector- Base Voltage Vcbo: 60 V Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 45 V Configuration: Single Current - Collector (ic) (max): 1A Current - Collector Cutoff (max): 50nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V Frequency - Transition: 200MHz ID_COMPONENTS: 1947687 Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Collector Cut-off Current: 0.05 uA Maximum Dc Collector Current: 1 A Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 65 C Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-62, SOT-89, TO-243 (3 Leads + Tab) Power - Max: 1.3W Series: - Transistor Polarity: NPN Transistor Type: NPN - Darlington Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500?µA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 45V Product Category: Transistors Darlington RoHS: yes Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V Collector- Base Voltage VCBO: 60 V Maximum DC Collector Current: 1 A Factory Pack Quantity: 1000 Part # Aliases: BST50 T/R Other Names: 933644250115, BST50 T/R
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Mitsubishi Electric Corp. Анонсировала линейку новейших силовых полупроводниковых модулей серии J3. Изделия предназначены для самого широкого модельного ряда электромобилей (xEV). Презентация была проведена на выставке NEPCON JAPAN 2024, прошедшей в Tokyo Big Sight. Силовые полупроводниковые модули серии J3 позволят более эффективно управлять питанием электромобилей и являются следующим шагом в развитии следующих поколений данных типов авто.</p> <p>Компания Mitsubishi Electric Corp. Анонсировала линейку новейших силовых полупроводниковых модулей серии J3. Изделия предназначены для самого широкого модельного ряда электромобилей (xEV). Презентация была проведена на выставке NEPCON JAPAN 2024, прошедшей в Tokyo Big Sight. Силовые полупроводниковые модули серии J3 позволят более эффективно управлять питанием электромобилей и являются следующим шагом в развитии следующих поколений данных типов авто.</p>](/images/cache/20f024271d837d00d1ebb5d88818e39c.png)
14.06.2024
![<p>Компания STMicroelectronics начала производство программируемого модуля IoT System-in-Package (SiP) большой дальности действия и низким энергопотреблением. Передовой модуль, содержащий двухъядерную беспроводную систему-на-кристалле (SoC), существенно упрощает разработку таких приложений, как интеллектуальное зондирование и удаленный мониторинг, предлагая бесшовные беспроводные соединения LPWAN.</p> <p>Компания STMicroelectronics начала производство программируемого модуля IoT System-in-Package (SiP) большой дальности действия и низким энергопотреблением. Передовой модуль, содержащий двухъядерную беспроводную систему-на-кристалле (SoC), существенно упрощает разработку таких приложений, как интеллектуальное зондирование и удаленный мониторинг, предлагая бесшовные беспроводные соединения LPWAN.</p>](/images/cache/95755901a11c9d595976efca1a1e238f.png)
13.06.2024
![<p>CXL, передовая технология взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода. Она решает задачу "memory wall", то есть ограничения производительности вычислительных систем скоростью доступа к памяти. Данная технология позволяет лучшим образом согласовать CPU/GPU и подключенную память устройства, повышая производительность гетерогенных вычислений.</p> <p>CXL, передовая технология взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода. Она решает задачу "memory wall", то есть ограничения производительности вычислительных систем скоростью доступа к памяти. Данная технология позволяет лучшим образом согласовать CPU/GPU и подключенную память устройства, повышая производительность гетерогенных вычислений.</p>](/images/cache/47ff4b81a083fc5dc9bd623bb83d1e62.png)
12.06.2024